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UPD16331GF-3B9

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ·HighvoltagefullCMOSprocess ·Highbreakdownvoltage,highcurrentoutput(100V,±150mAMAX.) ·40-bitbidirectionalshiftregisteronchip ·Datacontrolbytransferclock(external)andlatch ·Highspeeddatatransfercapability(fmax.=16MHzMIN.;whencascaded) ·Wide

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPD16331GF-3B9供應(yīng)商 更新時間2025-4-29 9:50:00

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