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UPD166100GR-E2-AZ

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES Builtincurrentlimitandthermalshutdowncircuit. Thermalshutdownwillautomaticallyrestartafter thechanneltemperaturehascooldown. Lowon-stateresistance:RDS(ON)=160mΩ (VIN=5V,IOUT=0.8A,Tch=25°C) Builtindynamicclampcircuit uPD166101:DualchannelLow-s

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多UPD166100GR-E2-AZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 11:00:00

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