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UPD41257L-12中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

UPD41257L-12
廠商型號(hào)

UPD41257L-12

功能描述

262144 X 1-BIT DYNAMIC NMOS RAM

文件大小

736.17 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-2 13:48:00

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UPD41257L-12規(guī)格書詳情

Description

The μPD41257 is a 262,144-word by 1-bit dynamic NMOS RAM designed to operate from a single +5-volt power supply. A double-polylayer N-channel silicon gate fabricated process provides for high storage cell density, high performance, ans high reliability.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    UPD41257L-12

  • 功能描述:

    x1 Nibble Mode DRAM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
DIP
396379
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)
NEC
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NEC
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NEC
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DIP
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