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UPD431000AGZ-B10X-KJH-A

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features ?131,072wordsby8bitsorganization ?Fastaccesstime:70,85,100,120,150ns(MAX.) ?Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5V) ?Operatingambienttemperature:TA=–25to+85°C ?LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) ?OutputEnabl

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瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD431000AGZ-B10-KJH

1M-BITCMOSSTATICRAM128K-WORDBY8-BIT

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPD431000AGZ-B10X-KJH

MOSINTEGRATEDCIRCUIT

Features ?131,072wordsby8bitsorganization ?Fastaccesstime:70,85,100,120,150ns(MAX.) ?Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5V) ?Operatingambienttemperature:TA=–25to+85°C ?LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) ?OutputEnabl

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1M-BITCMOSSTATICRAM128K-WORDBY8-BITEXTENDEDTEMPERATUREOPERATION

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NA
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萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
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更多UPD431000AGZ-B10X-KJH-A供應(yīng)商 更新時間2025-1-13 10:31:00

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