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UPD43256BGU-B10-A

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features ?32,768wordsby8bitsorganization ?Fastaccesstime:70,85,100,120ns(MAX.) ?Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5V) ?LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) ?/OEinputforeasyapplication

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD43256BGU-B10-A

256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPD43256BGU-B10

256K-BITCMOSSTATICRAM32K-WORDBY8-BIT

NECRenesas Electronics America

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256K-BITCMOSSTATICRAM32K-WORDBY8-BIT

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[NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE

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正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
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更多UPD43256BGU-B10-A供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 16:00:00

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