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UPD44164185BF5-E50Y-EQ3-A

18M-BIT DDR II SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION

Features ?1.8±0.1Vpowersupply ?165-pinPLASTICBGA(13x15) ?HSTLinterface ?PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling ?Separateindependentreadandwritedataports ?DDRreadorwriteoperationinitiatedeachcycle ?Pipelineddoubledatarat

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD44164185BF5-E50Y-EQ3

18M-BITDDRIISRAMSEPARATEI/O2-WORDBURSTOPERATION

Features ?1.8±0.1Vpowersupply ?165-pinPLASTICBGA(13x15) ?HSTLinterface ?PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling ?Separateindependentreadandwritedataports ?DDRreadorwriteoperationinitiatedeachcycle ?Pipelineddoubledatarat

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更多UPD44164185BF5-E50Y-EQ3-A供應商 更新時間2024-11-18 15:22:00

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