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UPD442012A-BBXXX

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features ?131,072wordsby16bitsorganization ?Fastaccesstime:50,55,70,85ns(MAX.) ?Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) ?Lowvoltageoperation (BBversion:VCC=2.7to3.6V,BCversion:VCC=2.2to3.6V) ?LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) ?Ope

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD442012A-BCXXX

MOSINTEGRATEDCIRCUIT

Features ?131,072wordsby16bitsorganization ?Fastaccesstime:50,55,70,85ns(MAX.) ?Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) ?Lowvoltageoperation (BBversion:VCC=2.7to3.6V,BCversion:VCC=2.2to3.6V) ?LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) ?Ope

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UPD442012A-X

MOSINTEGRATEDCIRCUIT

Features ?131,072wordsby16bitsorganization ?Fastaccesstime:50,55,70,85ns(MAX.) ?Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) ?Lowvoltageoperation (BBversion:VCC=2.7to3.6V,BCversion:VCC=2.2to3.6V) ?LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) ?Ope

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瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD442012A-X

2M-BITCMOSSTATICRAM128K-WORDBY16-BITEXTENDEDTEMPERATUREOPERATION

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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更多UPD442012A-BBXXX供應(yīng)商 更新時間2024-11-19 11:14:00

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