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UPD44324185F5-E40-EQ2

36M-BIT DDRII SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPD44324185F5-E40-EQ2-A

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features ?1.8±0.1Vpowersupply ?165-pinPLASTICBGApackage(13x15) ?HSTLinterface ?PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling ?Separateindependentreadandwritedataports ?DDRreadorwriteoperationinitiatedeachcycle ?Pipelineddouble

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
RenesasElectronicsAmeric
2022
SRAMDDRII36MBIT165-PBGA
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更多UPD44324185F5-E40-EQ2供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-19 9:18:00