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UPD444012AGY-B10X-MJH

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features ?262,144wordsby16bitsorganization ?Fastaccesstime:50,55,70,85,100,120ns(MAX.) ?Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) ?Lowvoltageoperation (Bversion:VCC=2.7to3.6V,Cversion:VCC=2.2to3.6V) ?LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) ?

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD444012AGY-B10X-MJH

4M-BIT CMOS STATIC RAM 256K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPD444012AGY-B10X-MJH-A

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features ?262,144wordsby16bitsorganization ?Fastaccesstime:50,55,70,85,100,120ns(MAX.) ?Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) ?Lowvoltageoperation (Bversion:VCC=2.7to3.6V,Cversion:VCC=2.2to3.6V) ?LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) ?

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