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UPD48576218FF-E18-DW1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

UPD48576218FF-E18-DW1
廠商型號(hào)

UPD48576218FF-E18-DW1

功能描述

576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O

文件大小

1.12946 Mbytes

頁面數(shù)量

53

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-16 22:59:00

UPD48576218FF-E18-DW1規(guī)格書詳情

Features

? SRAM-type interface

? Double-data-rate architecture

? PLL circuitry

? Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns

2.5 ns @ tRC = 15 ns

2.5 ns @ tRC = 20 ns

3.3 ns @ tRC = 20 ns

? Non-multiplexed addresses

? Multiplexing option is available.

? Data mask for WRITE commands

? Differential input clocks (CK and CK#)

? Differential input data clocks (DK and DK#)

? Data valid signal (QVLD)

? Programmable burst length: 2 / 4 / 8 (x9 / x18 / x36)

? User programmable impedance output (25 Ω - 60 Ω)

? JTAG boundary scan

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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