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UPD5741T6J

MOS ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ?LowNoise:NV=?101dBVTYP.@VDD=2V,Cin=3pF,RL=2.2kΩ :NV=?102dBVTYP.@VDD=2V,Cin=5pF,RL=2.2kΩ ?HighGain:GV=+6.5dBTYP.@VDD=2V,Cin=3pF,RL=2.2kΩ :GV=+8.5dBTYP.@VDD=2V,Cin=5pF,RL=2.2kΩ ?LowConsumptionCurrent:ID

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD5741T6J-E4

MOS ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

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UPD5741T6J-E4-A

MOS ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ?LowNoise:NV=?101dBVTYP.@VDD=2V,Cin=3pF,RL=2.2kΩ :NV=?102dBVTYP.@VDD=2V,Cin=5pF,RL=2.2kΩ ?HighGain:GV=+6.5dBTYP.@VDD=2V,Cin=3pF,RL=2.2kΩ :GV=+8.5dBTYP.@VDD=2V,Cin=5pF,RL=2.2kΩ ?LowConsumptionCurrent:ID

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PD5741T6J

LOWNOISEANDHIGHGAINAMPLIFIERFORIMPEDANCECONVERTEROFMICROPHONE

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更多UPD5741T6J供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 10:59:00

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