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UPD75117HGC-XXX-AB8

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ·Memorycapacity ROM:24448′8bits(UPD75117H) :16256′8bits(UPD75116H) RAM:768′4bits ·High-speedlowvoltageoperation Minimuminstructionexecutiontime:1.91ms(VDD=1.8V) 0.95ms(VDD=2.7V) ·Operatingvoltagerange:1.8to5.5V(Ta=–40to+60°C) ·I

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPD75117HGC-XXX-AB8供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 15:57:00

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