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UPD753012GC-XXX-3B9

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ?Lowvoltageoperation:VDD=2.2to5.5V ·Canbedrivenbytwo1.5Vbatteries ?On-chipmemory ·Programmemory(ROM): 12288′8bits(mPD753012) 16384′8bits(mPD753016) 24576′8bits(mPD753017) ·Datamemory(RAM): 1024′4bits

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPD753012GC-XXX-3B9供應商 更新時間2024-10-26 16:00:00

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