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UPD75312BGC-XXX-3B9

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ·Ultra-low-voltageoperationpossible:VDD=2.0to6.0V ?Canbedrivenbytwo1.5-Vmanganesebatteries. ·On-chipmemory ?Programmemory(ROM) :16256′8bits(mPD75316B) :12160′8bits(mPD75312B) ?Datamemory(RAM) :1024′4bits

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPD75312BGC-XXX-3B9供應(yīng)商 更新時間2025-2-9 14:00:00

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