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UPG2010TB-E3

L-BANDSPDTSWITCH

DESCRIPTION TheμPG2010TBisGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5to2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishousedina6-pi

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPG2010TB-E3

GaAsINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES ?Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) ?Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=?0.2to+0.2V(0VTYP.) ?Lowinsertionloss:LINS1=0.25dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPG2010TB-E3-A

HIGHPOWERSINGLECONTROLL-BANDSPDTSWITCH

DESCRIPTION NECsUPG2010TBisasinglecontrolGaAsMMICL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchformobilephoneandL-bandapplications. Thisdevicecanoperatefrom0.5to2.5GHz,withlowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishousedina6-pinsuperminimoldpackage,suit

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California Eastern Labs

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更多UPG2010TB-E3-AL-BAND供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-24 10:02:00

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