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UTOUTC2020	文件：186.57 Kbytes Page：6 Pages	Wideband High Efficiency Amplifier 10 to 2000 MHz	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
VCNT2020	文件：142.48 Kbytes Page：7 Pages	ReflectiveOpticalSensorWithTransistorOutputS DESCRIPTION TheVCNT2020isareflectivesensorinaminiatureSMD package.Ithasacompactconstructionwheretheemitting lightsourceandthedetectorarearrangedinthesame plane.Theoperatinginfraredwavelengthis940nm.The detectorconsistsofasiliconphototransistor.Thesenso	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VCNT2020	文件：146.26 Kbytes Page：7 Pages	ReflectiveOpticalSensorwithTransistorOutput	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VDA2020CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導體安納森半導體香港有限公司	ANASEM
VDA2020NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導體安納森半導體香港有限公司	ANASEM
VL2020	文件：35.52 Kbytes Page：1 Pages	VanadiumPentoxideLithiumCoinBatteries	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下電器松下電器（中國）有限公司	PANASONICBATTERY
VP2020L	文件：52.9 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel200-V(D-S)MOSFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VSIB2020	文件：94.55 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VS-MUR2020CTPBF	文件：168.27 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastRectifier,2x10AFREDPt? DESCRIPTION/APPLICATIONS VS-MUR2020CTPbFisthestateoftheartultrafastrecoveryrectifierspecificallydesignedwithoptimizedperformanceofforwardvoltagedropandultrafastrecoverytime.Theplanarstructureandtheplatinumdopedlifetimecontrol,guaranteethebestoverallperforman	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VS-MURB2020CTPBF	文件：265.2 Kbytes Page：10 Pages	UltrafastRectifier,2x10AFREDPt? FEATURES ?Ultrafastrecoverytime ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?175°Coperatingjunctiontemperature ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof260°C ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VS-MURB2020CTPBF	文件：170.83 Kbytes Page：9 Pages	UltrafastRectifier,2x10AFREDPt? DESCRIPTION/APPLICATIONS MUR..seriesarethestateoftheartultrafastrecoveryrectifiersspecificallydesignedwithoptimizedperformanceofforwardvoltagedropandultrafastrecoverytime.? Theplanarstructureandtheplatinumdopedlifetimecontrol,guaranteethebestoverallperforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
VS-MURB2020CTTRLP	文件：173.77 Kbytes Page：9 Pages	UltrafastRectifier,2x10AFREDPt DESCRIPTION/APPLICATIONS MUR..seriesarethestateoftheartultrafastrecoveryrectifiersspecificallydesignedwithoptimizedperformanceofforwardvoltagedropandultrafastrecoverytime.? Theplanarstructureandtheplatinumdopedlifetimecontrol,guaranteethebestoverallperforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
WJZ2020	文件：74.55 Kbytes Page：3 Pages	BroadbandSurfaceMountMixer	WJCI WJ Communication. Inc.	WJCI
WJZ2020-PCB	文件：74.55 Kbytes Page：3 Pages	BroadbandSurfaceMountMixer	WJCI WJ Communication. Inc.	WJCI
WNM2020	文件：447.19 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,20V,0.90A,SmallSignalMOSFET	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韋爾股份上海韋爾半導體股份有限公司	WILLSEMI
WNM2020	文件：1.31221 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
YF2020ID	文件：272.57 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,2/0AWG,1.45L,TinPlated,Yellow,ForuseonCuCond.	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
ZGFM2020B	文件：68.86 Kbytes Page：9 Pages	ChipZenerDiode	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導體美麗微半導體股份有限公司	FORMOSA
ZXTN2020F	文件：522.72 Kbytes Page：6 Pages	100V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximizethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Features ?Higherpowerdiss	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZXTN2020F	文件：514.179 Kbytes Page：6 Pages	100V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximizethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Features ?Higherpowerdiss	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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