UTV080分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
UTV080 |
| 參數(shù)屬性 | UTV080 封裝/外殼為55JV；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV |
| 功能描述 | 8 Watts, 26.5 Volts, Class A UHF Television - Band IV & V |
| 封裝外殼 | 55JV |
| 文件大小 |
178.12 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GHz Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
GHZTECH |
| 中文名稱 | GHz Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-24 13:02:00 |
UTV080規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
The UTV 080 is a COMMON EMITTER transistor capable of providing 8 Watt Peak, Class A, RF Output Power over the band 470 - 860 MHz. The transistor includes double input prematching for full broadband capability. Gold Metalization and Diffused Ballasting are used to provide high reliability and supreme ruggedness.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
UTV080
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
28V
- 頻率 - 躍遷：
470MHz ~ 860MHz
- 增益：
9dB ~ 10dB
- 功率 - 最大值：
65W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 500mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
2.5A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
通道，DIN 導(dǎo)軌安裝
- 封裝/外殼：
55JV
- 供應(yīng)商器件封裝：
55JV
- 描述：
RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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21+ |
NA |
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