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UVY2A221MHD電容器的鋁電解電容器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

UVY2A221MHD
廠商型號(hào)

UVY2A221MHD

參數(shù)屬性

UVY2A221MHD 封裝/外殼為徑向,Can;包裝為散裝;類別為電容器的鋁電解電容器;UVY2A221MHD應(yīng)用范圍:通用;產(chǎn)品描述:CAP ALUM 220UF 20% 100V RADIAL

功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor

封裝外殼

徑向,Can

文件大小

491.07 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-11 19:13:00

UVY2A221MHD規(guī)格書(shū)詳情

1 General description

This 85 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1930 to 1995 MHz.

This part is characterized and performance is guaranteed for applications operating in the 1930 to 1995 MHz band. There is no guarantee of performance when this part is used in applications designed outside of these frequencies.

2 Features and benefits

? High terminal impedances for optimal broadband performance

? Advanced high performance in-package Doherty

? Improved linearized error vector magnitude with next generation signal

? Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions

? Plastic package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    UVY2A221MHD

  • 制造商:

    Nichicon

  • 類別:

    電容器 > 鋁電解電容器

  • 系列:

    UVY

  • 包裝:

    散裝

  • 容差:

    ±20%

  • 不同溫度時(shí)使用壽命:

    105°C 時(shí)為 2000 小時(shí)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 105°C

  • 極化:

    極化

  • 應(yīng)用:

    通用

  • 引線間距:

    0.197"(5.00mm)

  • 大小 / 尺寸:

    0.492" 直徑(12.50mm)

  • 高度 - 安裝(最大值):

    0.866"(22.00mm)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    徑向,Can

  • 描述:

    CAP ALUM 220UF 20% 100V RADIAL

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NICHICON/尼吉康
2015+ROHS
DIP
93500
一級(jí)質(zhì)量專業(yè)經(jīng)營(yíng)自家?guī)齑婀?yīng)
詢價(jià)
NICHICON/尼吉康
12.5X20
18021
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Nichicon
2248
全新原裝 貨期兩周
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NICHICON
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26580
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尼吉康
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電容
8000
原裝正品,假一罰十
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NICHICON
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10000
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NICHICON/尼吉康
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