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V10D120C-M3SLASHI

Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 2.5 A

?TrenchMOSSchottkytechnology ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable: -Automotive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10D170CHM3SLASHI

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10D170C-M3SLASHI

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable

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V10D202C

Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologygeneration2 ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifieda

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10D202C_V01

Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologygeneration2 ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifieda

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10D45C

Dual Low-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -A

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10D45C_V01

Dual Low-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10D60C

Dual TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10D60C_V01

Dual TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -A

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V10DM100C

Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable:? -

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晶體管資料

  • 型號：

    V10-15A

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Ge-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （SW）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    10V

  • 最大電流允許值：

    0.03A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    3AX54C,

  • 最大耗散功率：

    0.2W

  • 放大倍數(shù)：

    β=20

  • 圖片代號：

    D-161

  • vtest：

    10

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.03

  • wtest：

    0.2

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    V10

  • 制造商：

    KEMET

  • 類別：

    電容器 > 配件

  • 包裝：

    散裝

  • 配件類型：

    安裝夾

  • 配套使用/相關(guān)產(chǎn)品：

    圓形罐狀

  • 器件尺寸：

    2.559" 直徑（65.0mm）

  • 描述：

    CAPACITOR HARDWARE, CLIP, ZINC S

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更多V10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-8 16:00:00

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