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V10150S

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Compo

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10150S

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

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V10150S

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10150S

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10150S

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

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V10150S_V01

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

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V10150S-E3

High efficiency operation

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Compo

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V10150S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Compo

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10150S_11

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10150S_12

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    V10150S

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
23+
TO-220
8600
全新原裝現(xiàn)貨
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VISHAY
2023+
TO-220
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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ON/安森美
23+
TO-220AC
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
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VISHAY/威世
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
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VISHAY/威世
2022+
TO-220
12888
原廠代理 終端免費提供樣品
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VISHAY/威世
23+
TO-220
6000
原裝正品，支持實單
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TO220
90000
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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VISHAY/威世
22+
TO-220
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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24+
TO-TO-220
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獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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