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V10170C-M3_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

V10170C-M3_V01
廠商型號

V10170C-M3_V01

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

161.45 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-28 18:30:00

V10170C-M3_V01規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB?

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and

commercial grade

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102?

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

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