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V10D100C

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologygeneration2 ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifieda

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V10D100C

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

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V10D100C_V01

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologygeneration2 ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifieda

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V10D100CHM3SLASHI

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 2.5 A

?TrenchMOSSchottkytechnologygeneration2 ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable:

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V10D100C-M3SLASHI

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 2.5 A

?TrenchMOSSchottkytechnologygeneration2 ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable:

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V10D100CHM3

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V10D100CHM3/I

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

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V10D100C-M3

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V10D100C-M3/I

Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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V10D100C-M3_15

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多V10D100C供應商 更新時間2025-3-26 14:44:00

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