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V10P10HE386A中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

V10P10HE386A
廠商型號

V10P10HE386A

功能描述

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

111.06 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-14 12:00:00

V10P10HE386A規(guī)格書詳情

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A

FEATURES

? Very low profile - typical height of 1.1 mm

? Ideal for automated placement

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward volatge drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

? AEC-Q101 qualified

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

?Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection

applications.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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