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V10P22C-M3SLASHI

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.61 V at IF = 2.5 A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiency ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingc

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V10P22C-M3/H

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10P22C-M3/I

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10P22C-M3SLASHH

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.61VatIF=2.5A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiency ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingc

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更多V10P22C-M3SLASHI供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 14:22:00

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