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V10PWM12HM3SLASHI中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

V10PWM12HM3SLASHI
廠商型號

V10PWM12HM3SLASHI

功能描述

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A

文件大小

140.71 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-14 17:47:00

V10PWM12HM3SLASHI規(guī)格書詳情

? Very low profile - typical height of 1.3 mm

? Trench MOS Schottky technology

? Ideal for automated placement

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

? AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code: base P/NHM3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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