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V10WL45-M3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V10WL45-M3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V10WL45-M3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V10WL45-M3_15

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V10WL45-M3_15

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V10WL45-M3I

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V10WL45-M3/I

包裝：帶盒（TB） 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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更多V10WL45-M3供應商 更新時間2025-1-13 14:50:00

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