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V10WM100-M3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

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更多V10WM100-M3_V01供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 17:28:00

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