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V15W60C-M3_V01

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多V15W60C-M3_V01供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 17:04:00

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