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V20100SG | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | |
V20100SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemp | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | |
V20100SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | |
V20100SG | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | |
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:TO-220-3 類別:分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-220-3 類別:分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-220AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
包裝:帶盒(TB) 封裝/外殼:TO-220-3 類別:分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-220AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
詳細參數
- 型號:
V20100SG
- 制造商:
VISHAY
- 制造商全稱:
Vishay Siliconix
- 功能描述:
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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VISHAY |
2016+ |
TO-220 |
6528 |
房間原裝進口現貨假一賠十 |
詢價 | ||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
8890 |
價格優(yōu)勢/原裝現貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢 |
詢價 | ||
VISHAY |
23+ |
TO-220 |
20000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
VISHAY |
21+ |
TO-220 |
6000 |
絕對原裝現貨 |
詢價 | ||
VISHAY |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經驗原裝進口正品做服務做口碑有支持 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
中性 |
23+ |
TO220-3 |
50000 |
全新原裝正品現貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原廠代理 終端免費提供樣品 |
詢價 | ||
VISHAY |
22+ |
TO-220 |
8900 |
英瑞芯只做原裝正品!!! |
詢價 |
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