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V20120S-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

V20120S-E3SLASH4W
廠商型號(hào)

V20120S-E3SLASH4W

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

文件大小

166.29 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-19 8:00:00

V20120S-E3SLASH4W規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per

?? JESD 22-B106

? AEC-Q101 qualified

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

?? accordance to WEEE 2002/96/EC

? Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

?? For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

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