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V20200G

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20200G-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20200G-E3_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20200G-E3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20200G_15

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20200G_15

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20200G-E3

Low forward voltage drop, low power losses

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20200G-E3/4W

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VB20200C

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20200C

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    V20200G

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
23+
TO220
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
 詢價
VISHAY
1735+
TO220
6528
科恒偉業(yè)!只做原裝正品!假一賠十!
 詢價
VISHAY
1809+
TO-220
3675
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
VISHAY/威世
23+
TO220AB
10000
公司只做原裝正品
 詢價
VISHAY
23+
TO220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
Vishay Semiconductor Diodes Di
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Vishay
23+
TO220AB
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
VISHAY
0731+;10+
TO220
35
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
VISHAY
23+
TO220
2535
原廠原裝正品
 詢價
Vishay
22+
TO220AB
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
更多V20200G供應(yīng)商 更新時間2025-3-3 17:29:00

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