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V20202G_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

V20202G_V01
廠商型號

V20202G_V01

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

164.81 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-10 23:00:00

V20202G_V01規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology Gen 2

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,

per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and

TO-262AA package)

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB, and TO-262AA

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and

commercial grade

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102?

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs max.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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