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V20W60C-M3

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20W60C-M3_V01

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.3mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20W60C-M3_15

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20W60C-M3_15

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20W60C-M3I

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20W60C-M3/I

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 60V DPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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更多V20W60C-M3供應(yīng)商 更新時間2025-4-27 14:06:00

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