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V30DM120	文件：125 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologygeneration2 ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifieda	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30DM120	文件：124.36 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30DM120_V01	文件：125 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologygeneration2 ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifieda	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30DM120C	文件：127.6 Kbytes Page：5 Pages	Dual TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?AEC-Q101qualifiedavailable: -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 ?MeetsMSLlevel1,per	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30DM120C_V01	文件：127.6 Kbytes Page：5 Pages	Dual TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?AEC-Q101qualifiedavailable: -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 ?MeetsMSLlevel1,per	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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V30DM120C-M3_15	文件：95.56 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30DM120HM3	文件：93.64 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30DM120HM3	文件：103.92 Kbytes Page：5 Pages	Low forward voltage drop, low power losses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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V30DM120C-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V SMPD	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V30DM120HM3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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深圳市科雨電子有限公司	V30DM120-M3/I	VISHAY	1809+	TO-263	3675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
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更多V30DM120供應(yīng)商更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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