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V30K170HM3SLASHH中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

V30K170HM3SLASHH
廠商型號

V30K170HM3SLASHH

功能描述

High Current Density Surface-Mount (TMBS?) Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 5 A

文件大小

158.73 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-14 17:01:00

V30K170HM3SLASHH規(guī)格書詳情

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

? AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code: base P/NHM3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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