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V35PWM12

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.3mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable? -

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V35PWM12

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V35PWM12_V01

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.3mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable? -

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V35PWM12HM3/I

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V35PWM12-M3/I

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V35PWM12HM3/I

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V35PWM12-M3/I

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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更多V35PWM12供應商 更新時間2025-1-21 14:16:00

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