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V40120CI	文件：136.56 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICA	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120CI	文件：135.92 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120CI_V01	文件：136.56 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICA	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120CI-M3/P	文件：135.92 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V40120CI-M3/P	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：40A 120V TRENCH SKY RECT	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VF40120C	文件：538.18 Kbytes Page：2 Pages	PowerpackMOSSchottkyBarrierRectifier Features ·TrenchMosSchottkyBarrier ·GuardringforovervoltageProtection ·LowForwardVoltageDrop ·LowReverseLeakageCurrent ·HighSurgeCurrentCapability ·PlasticMaterialhasULFlammability Classification94V-O	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
VF40120C	文件：127.21 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI40120C	文件：141.48 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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VS40120AD	文件：1.71083 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER

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深圳市得捷芯城科技有限公司	V40120CI-M3/P	VISHAY/威世	23+	NA/	3398	原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票	詢價(jià)
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更多V40120CI供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-28 10:59:00

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