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V6K100DU-M3/I中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
V6K100DU-M3/I |
| 參數(shù)屬性 | V6K100DU-M3/I 封裝/外殼為8-PowerTDFN；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列；產(chǎn)品描述：RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY FP5X6 |
| 功能描述 | High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| 文件大小 |
137.53 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-10-27 22:59:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
V6K100DU-M3/I
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包裝：
管件
- 二極管配置：
2 個(gè)獨(dú)立式
- 二極管類型：
肖特基
- 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：
3A
- 速度：
快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作溫度 - 結(jié)：
-40°C ~ 150°C
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-PowerTDFN
- 供應(yīng)商器件封裝：
FlatPAK 5x6（雙）
- 描述：
RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY FP5X6
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
23+ |
FlatPAK(5x6) |
7350 |
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詢價(jià) | ||
Vishay General Semiconductor - |
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Vishay General Semiconductor - |
24+ |
8-PowerTDFN |
30000 |
二極管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
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24+ |
N/A |
46000 |
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