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V6KM120DU_V01

High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable? -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 ?Materialcategorization:fordefinition

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多V6KM120DU_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-27 14:56:00

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