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V6PWM45HM3SLASHI

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 3 A

?Verylowprofile-typicalheightof1.3mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V6PWM45HM3/I

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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更多V6PWM45HM3SLASHI供應商 更新時間2025-2-6 9:06:00

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