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VB20120SG-E3分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

VB20120SG-E3
廠商型號

VB20120SG-E3
參數(shù)屬性

VB20120SG-E3 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單；產(chǎn)品描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB
功能描述

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
封裝外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

161.39 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-5 15:22:00

VB20120SG-E3規(guī)格書詳情

Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VB20120SG-E3/8W

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    TMBS?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管類型：

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    20A

  • 速度：

    快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    TO-263AB（D2PAK）

  • 工作溫度 - 結：

    -40°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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