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VB20150SG-E3

High efficiency operation

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB20150SG-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB20150SG-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand

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威世科技威世科技半導體

VB20150SG-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand

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VB20150SG-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VB20150SG-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

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VB20150SG-E3/4W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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VB20150SG-E3/8W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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VF20150SG-E3

Highefficiencyoperation

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF20150SG-E3

HighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

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詳細參數

  • 型號：

    VB20150SG-E3

  • 功能描述：

    肖特基二極管與整流器 20 Amp 150 Volt Single TrenchMOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 產品：

    Schottky Diodes

  • 峰值反向電壓：

    2 V

  • 正向連續(xù)電流：

    50 mA

  • 配置：

    Crossover Quad

  • 正向電壓下降：

    370 mV

  • 最大功率耗散：

    75 mW

  • 工作溫度范圍：

    - 65 C to + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-143

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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保證原裝正品,假一陪十
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十年配單,只做原裝
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原裝正品，支持實單
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