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VB30120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB30120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB30120C-E3/4W

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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V30120C-E3/4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified

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VI30120C-E3/4W

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VB30120C-E3/4W

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 系列：

    TMBS?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管配置：

    1 對共陰極

  • 二極管類型：

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：

    15A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-263AB（D2PAK）

  • 描述：

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Vishay General Semiconductor -
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