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VB30120S	文件：228.42 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB30120S	文件：165.91 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB30120S-E3	文件：216.68 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB30120SG	文件：168.27 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB30120SG-E3	文件：156.84 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop, low power losses High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB30120SG-E3	文件：216.01 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB30120SG-E3/4W	文件：168.27 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB30120SG-E3/8W	文件：168.27 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB30120S-E3	文件：731.92 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB30120S-E3	文件：726.92 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VB30120S-E3/4W	文件：165.91 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
VB30120S
制造商：
VISHAY
制造商全稱：
Vishay Siliconix
功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市博浩通科技有限公司	VB30120S	VISHAY	23+	TO-263	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	VB30120S	DIOS	23+	SOT-23	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	VB30120S	VISHAY/威世	23+	TO-263	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	VB30120S	VISHAY/威世通	22+	TO-263	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	VB30120S	VISHAY/威世通	23+	TO-263	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
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更多VB30120S供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 10:32:00

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