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VB40100G-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106

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威世科技威世科技半導體

VB40100G-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VB40100G-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VB40100G-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A

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詳細參數

  • 型號：

    VB40100G-E3

  • 功能描述：

    肖特基二極管與整流器 40 Amp 100 Volt

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 產品：

    Schottky Diodes

  • 峰值反向電壓：

    2 V

  • 正向連續(xù)電流：

    50 mA

  • 配置：

    Crossover Quad

  • 正向電壓下降：

    370 mV

  • 最大功率耗散：

    75 mW

  • 工作溫度范圍：

    - 65 C to + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-143

  • 封裝：

    Reel

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更多VB40100G-E3供應商 更新時間2025-3-15 14:50:00

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