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VB40100G-E3 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | |
VB40100G-E3 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | |
VB40100G-E3 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào):
VB40100G-E3
- 功能描述:
肖特基二極管與整流器 40 Amp 100 Volt
- RoHS:
否
- 制造商:
Skyworks Solutions, Inc.
- 產(chǎn)品:
Schottky Diodes
- 峰值反向電壓:
2 V
- 正向連續(xù)電流:
50 mA
- 配置:
Crossover Quad
- 正向電壓下降:
370 mV
- 最大功率耗散:
75 mW
- 工作溫度范圍:
- 65 C to + 150 C
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
SOT-143
- 封裝:
Reel
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2021+ |
TO-263 |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
D2-PAK(TO-263) |
100 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
2016+ |
TO-263 |
5415 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
2018+ |
26976 |
代理原裝現(xiàn)貨/特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
21+ |
TO-263 |
6000 |
絕對(duì)原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
1809+ |
TO-263 |
1675 |
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件! |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO263AB |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) |
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