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VB60100C-E3/8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB60100C-E3/8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB60100C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB60100C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB60100C-E3SLASH4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB60100C-E3SLASH8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB60100C-E3SLASH8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB60100C-E3SLASH8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB60100C-M3

Low forward voltage drop, low power losses

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB60100C-M3_15

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    VB6

  • 制造商:

    Via Technologies, Inc

  • 功能描述:

    DDR2 533X1, 1GB, NO CPU, 1 PCI 6 CH AUDIO 4 USB GIG ENET - Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
12+
TO-263
15000
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
詢價
VISHAY
23+
TO-263
8600
全新原裝現(xiàn)貨
詢價
Vishay
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
詢價
VISHAY
23+
TO-263
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
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ST
25+23+
SMD
38200
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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VISHAY
1822+
TO-263
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!!
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STM
24+
QFN
90000
一級代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價格合理
詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
VISHAY
18+
TO-263
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價
詢價
VISHYS
20+
TO-263
38900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
更多VB6供應(yīng)商 更新時間2025-4-21 11:04:00