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VBA1206

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?Low-SideMOSFETforSynchronousBuck -GameMachine -PC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBE1206

N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBE1206

N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET

FEATURES TrenchFETPowerMOSFET 175CMaximumJunctionTemperature 100RgTested

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBE1206N

N-Channel200V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBE1206N

N-Channel200V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBM1206

N-Channel20-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBM1206

N-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBQF1206

N-Channel20V(D-S)MOSFET

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VFC1206

HighPrecisionFlipChip,PatentsPending(IndustrializedCountries)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFC1206KABT

HighPrecisionFlipChip,PatentsPending(IndustrializedCountries)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ATCDiversifiedElectronic
新
6
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
ATC Diversified Electronics
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全新原裝 貨期兩周
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VBsemi(臺(tái)灣微碧)
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更多VBA1206供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-15 16:06:00

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