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VBL2609	文件：401.22 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?PackagewithLowThermalResistance ?100RgTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
2609B	文件：938.88 Kbytes Page：4 Pages	BroadbandPhotodiodeModule The2609Bisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiberopticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuitsduetobettercontrolofparasitic	EMCORE Emcore Corporation	EMCORE
2609B	文件：49.7 Kbytes Page：4 Pages	2609BBroadbandPhotodiodeModule Description The2609Bisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiber-opticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuitsduetobettercontro	agere Agere Systems	agere
2609C	文件：49.93 Kbytes Page：4 Pages	2609CBroadbandPhotodiodeModule Description The2609Cisapackagedimpedance-matchedphotodiodemodulewithinternalgaindesignedforuseinopticalbroadbandreceiversinfiber-opticnetworks.Thepatentedimpedance-matchtechnologyresultsinimprovedgain-bandwidthproductcomparedtoexternalcircuitsduetocontrolofpa	agere Agere Systems	agere
AP2609GY-HF	文件：64.849 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2609GYT-HF	文件：63.86 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallSize&LowerProfile	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
CEC2609	文件：680.64 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 20V,4.8A,RDS(ON)=38mW@VGS=4.5V. FEATURES RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. -20V,-3.0A,RDS(ON)=100mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=145mW@VGS=-2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. S2	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEH2609	文件：572.07 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,3.5A,RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=80mΩ@VGS=2.5V. ■-20V,-2.5A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=145mΩ@VGS=-2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapa	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEH2609A	文件：560.21 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 20V,4A,RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. FEATURES RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. -20V,-2.8A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FKN2609	文件：580.45 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch20VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKN2609isthehighcelldensitytrenched P-chMOSFETs,whichprovidesexcellentRDSON andefficiencyformostofthesmallpower switchingandloadswitchapplications. TheFKN2609meetstheRoHSandGreenProduct requirementwithfullfunctionreliabilityapproved.	FETEKFETek Technology Corp. 臺(tái)灣東沅東沅科技股份有限公司	FETEK
FKUC2609	文件：591.63 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch20VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKUC2609isthehighcelldensitytrenched P-chMOSFETs,whichprovidesexcellentRDSON andefficiencyformostofthesmallpower switchingandloadswitchapplications. TheFKUC2609meetstheRoHSandGreen Productrequirementwithfullfunctionreliability approved.	FETEKFETek Technology Corp. 臺(tái)灣東沅東沅科技股份有限公司	FETEK
IRS2609DSPBF	文件：820.64 Kbytes Page：25 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRF International Rectifier	IRF
IRS2609DSPBF	文件：831.8 Kbytes Page：25 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRF International Rectifier	IRF
IRS2609DSPBF	文件：1.03023 Mbytes Page：23 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRF International Rectifier	IRF
IRS2609DSTRPbF	文件：1.03023 Mbytes Page：23 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRF International Rectifier	IRF
KSC2609A	文件：50.96 Kbytes Page：5 Pages	AudioFrequencyHighFrequencyPowerAmplifier AudioFrequency HighFrequencyPowerAmplifier ?ComplementtoKSA1220/KSA1220A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
LM2609	文件：1.44456 Mbytes Page：6 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
LTC2609	文件：318.58 Kbytes Page：20 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
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LTC2609CGNPBF	文件：251.52 Kbytes Page：22 Pages	Quad16-/14-/12-BitRail-to-RailDACswithI2CInterface	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER

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更多VBL2609供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 17:06:00

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