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VBM1203M中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

VBM1203M
廠商型號(hào)

VBM1203M

功能描述

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件大小

524.75 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-10-26 15:00:00

VBM1203M規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? 175 °C Junction Temperature

? PWM Optimized

? 100 Rg Tested

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

? Primary Side Switch

? DT-Trench Power MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VBsemi(臺(tái)灣微碧)
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