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VBM15R08_V01

N-Channel 500V (D-S) Power MOSFET

FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

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更多VBM15R08_V01供應(yīng)商 更新時間2024-12-25 11:00:00

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